松永 高治 教授

[研究テーマ]
次世代無線システムに向けた高周波デバイス研究

[主な担当科目]
半導体工学1・2、高周波電気回路、電気の物理1・2

[取得学位]
博士（工学）京都大学

専門・研究分野

電子デバイス工学、マイクロ波ミリ波工学、電力工学

研究テーマ

次世代無線システムに向けた高周波デバイス研究
第5世代移動体通信（5G）の次の世代（Beyond 5G、6G）の通信技術を支えるデバイスの研究に取り組んでいます。デバイス動作の物理的理解から新しい動作原理を探り、高周波電力増幅器、電力変換機器などのコンポーネンツ研究を通して無線システム、センシングシステムの高性能化に寄与すること目指しています。

研究キーワード

化合物半導体（GaAs、GaN）、電子デバイス、高周波電力増幅器、無線システム、電力変換

SDGsとの関連

主な研究業績

＜学術論文＞

Yasushi Itoh, Takana Kaho, and Koji Matsunaga, “An Advanced Load-Line Analysis Software for use in the Design and Simulation of Microwave Low-Distortion, High-Efficiency and High-Power GaN HEMT Amplifiers,”Journal of Engineering Research and Sciences, 2(4): 14-21, April, 2023
松永高治、服部渉　「ミリ波帯GaN増幅器技術の発展」電気学会電気学会C論文誌 Vol.133, No.3, pp. 465-470, 2013年.
N.Kuroda, A.Wakejima, M.Tanomura, K.Ota,　Y.Ando, T.Nakayama, Y.Okamoto, K.Matsunaga,　and H.Miyamoto, “Reduction of Thermal Resistance of High-Power Amplifiers by Carbon Fiber-Reinforced Carbon Composite-Based Package,” IEEE Transactions on Components, Packaging and Manufacturing Technology, vol.2 No.1, pp.95-101, 2012.
A.Wakejima, K.Ota, and K.Matsunaga, “Study of surface-trap-induced gate depletion region of field-modulating plate GaAs–FETs,”　Solid State Electronic, vol.50, Issue 3, pp.372-377, 2006.
A.Wakejima, K.Matsunaga, Y.Ando, T.Nakayama, Y.Okamoto, K.Ota, N.Kuroda, M.Tanomura and H.Miyamoto, “High Power GaN-FET Amplifier with Reduced Memory Effects for W-CDMA Base Stations,”　IEICE　Trans. Vol.E90-C, no.5, pp.929-936, 2007.
Y.Okamoto, Y.Ando, T.Nakayama, A.Wakejima, K.Matsunaga, K.Ota and H.Miyamoto, “C-Band GaN-Based Field-Effect-Transistor Power Amplifiers with 170-W Output Power,　”Japanese Journal of Applied Physics, vol.46, No.4B, 2007, pp.2312-2315.
Y.Okamoto, T.Nakayama, Y.Ando, A.Wakejima, K.Matsunaga, K.Ota, and H.Miyamoto, “A 230W C-band GaN-FET power amplifier,”　Electronics　letters, vol.43 Issue 5, pp.927-929, 2007.
A.Wakejima, T.Nakayama, K.Ota, Y.Okamoto, Y.Ando, N.Kuroda, M.Tanomura, K.Matsunaga, and H.Miyamoto, “Pulsed 0.75kW output single-ended GaN-FET amplifier for L/S band applications,”　 Electronics　letters, vol.42 Issue 23, pp.1349-1350, 2006.

＜国際学会＞

K.Motoi, K.Matsunaga, S.Yamanouchi, K.Kunihiro, and M.Fukaishi, ”A 72% PAE, 95-W, Single-Chip GaN FET S-Band Inverse Class-F Power Amplifier with a Harmonic Resonant Circuit,” IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest, TH2D-1, 2012.
K.Motoi, K.Matsunaga, K.Kunihiro, S.Hori, and M.Fukaishi,”A 62% Efficiency, 17-dB Gain, 110-WSingle-chip GaN FET S-band Class-F Power Amplifier,” 9th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics（TWHM）, Digest, pp.9-10, 2011.
S.Yoshida, M.Tanomura, Y.Murase, K.Yamanoguchi, K.Ota, K.Matsunaga, and H.Shimawaki, ”A 76GHz GaN-on-silicon power amplifier for automotive radar systems,” IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest, vol.1, pp.665-668, 2009.
Y.Murase, K.Yamanokuchi, Y,Ando, T.Nakayama, Y.Okamoto, K.Ota, K.Matsunaga, T.Inoue, H.Miyamoto, M.Tanomura, and N.Kuroda, ” CW 20-W AlGaN/GaN FET Power Amplifier for Quasi-Millimeter Wave Applications,” IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit(CSICS) Symposium Digest, pp.36-39, 2007.
K.Matsunaga, M.Tanomura, T.Nakayama, Y.Ando, H.Miyamoto, and H.Shimawaki, ”Analogue Dynamic Supply Voltage L-band GaN High Power Amplifier with Improvement of Efficiency and Linearity,” IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest, vol.2, pp.1107-1110, 2007.
Y.Ando. Y.Okamoto, A.Wakejima, T.Inoue, T.Nakayama, Y.Murase, K.Ota, K.Yamanoguchi, N.Kuroda, M.Tanomura, K.Matsunaga, and H.Miyamoto, ”High power GaN-based heterojunction FETs for base station applications,”　Asia Pacific Microwave Conference(APMC) Symposium Digest, 2006.
K.Matsunaga, H.Miyamoto and H.Shimawaki, ”Low Distortion GaN Power Amplifier Technology for L/S band Applications,” Asia-Pasific Workshop on Fundammentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices(AWAD) 2006.

＜登録特許＞