2024年1月11日、本学の渡辺重佳特任教授・学事顧問が研究を進める、複数入力可能な積層型GAA（ゲート・オール・アラウンド）トランジスタを用いた論理回路の新設計法が電波新聞のハイテクノロジー「2024年注目の先端技術特集」に掲載されました。
同研究は、微細なトランジスタを構成するのに適したGAAトランジスタを縦方向に積層することにより、基本的な論理回路であるNAND回路やNOR回路を実現するものです。これまでの方式と比較して、今回の提案は高速性能を保持しつつ、パターン面積を20％に縮小することができる可能性を示しました。またこの提案を2ナノメートル世代に適用すれば、さらに2～3世代先の0.7～1ナノメートルの高速、低消費電力、低コストなロジックLSIを実現できるとして多方面から注目されています。
また、同年1月9日付の電波新聞には、本記事「ハイテクノロジー」への論文掲載の告知が掲載されました。
電波新聞デジタル版（全文閲覧には会員登録が必要）
掲載記事
先端半導体の選択肢に、湘南工大が複数入力可能な積層型GAAトランジスタ設計（2023.10.01 ニューススイッチ）
湘南工大、複数入力可能な積層型GAAトランジスタ設計 NAND・NOR回路向け（2023.09.28 日刊工業新聞）
同研究は、微細なトランジスタを構成するのに適したGAAトランジスタを縦方向に積層することにより、基本的な論理回路であるNAND回路やNOR回路を実現するものです。これまでの方式と比較して、今回の提案は高速性能を保持しつつ、パターン面積を20％に縮小することができる可能性を示しました。またこの提案を2ナノメートル世代に適用すれば、さらに2～3世代先の0.7～1ナノメートルの高速、低消費電力、低コストなロジックLSIを実現できるとして多方面から注目されています。
また、同年1月9日付の電波新聞には、本記事「ハイテクノロジー」への論文掲載の告知が掲載されました。
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先端半導体の選択肢に、湘南工大が複数入力可能な積層型GAAトランジスタ設計（2023.10.01 ニューススイッチ）
湘南工大、複数入力可能な積層型GAAトランジスタ設計 NAND・NOR回路向け（2023.09.28 日刊工業新聞）
