本学の渡辺重佳特任教授・学事顧問が日経クロステックの取材を受け、2024年2月2日の同電子版「ニュース解説」に、研究を進める複数入力可能な積層型GAA（ゲート・オール・アラウンド）トランジスタを用いた論理回路の新設計法の解説などが掲載されました。

同記事では、半導体製造を先導する企業がそろって研究を進めるトランジスタ構造「CFET」について、渡辺特任教授が回路設計上の課題を指摘し、既存技術を応用した複数入力可能な積層型GAAの新設計法を提案しています。また、国際的な半導体研究機関や日本の半導体技術の研究組合からのコメントも掲載されています。

渡辺特任教授の研究は、微細なトランジスタを構成するのに適したGAAトランジスタを縦方向に積層することにより、基本的な論理回路であるNAND回路やNOR回路を実現するものです。これまでの方式と比較して、今回の提案は高速性能を保持しつつ、パターン面積を20％に縮小することができる可能性を示しました。またこの提案を2ナノメートル世代に適用すれば、さらに2～3世代先の0.7～1ナノメートルの高速、低消費電力、低コストなロジックLSIを実現できるとして多方面から注目されています。

日経クロステック ｜ 「ラピダスが他社に追い付く奇策あり」、元東芝研究者が新構造を提唱　※全文閲覧には有料会員登録が必要


掲載記事
【2024年注目の先端技術特集】湘南工科大渡辺名誉教授　複数入力可能な積層型GAAトランジスタによるNAND、NOR回路の提案　高速性能を維持しつつパターン面積40％に縮小（2024.01.11　電波新聞デジタル版）
積層型GAAトランジスタ で複数入力が可能に　2～3世代先の集積効果実現へ　湘南工科大・渡辺名誉教授の研究（2024.01.09　電波新聞）
先端半導体の選択肢に、湘南工大が複数入力可能な積層型GAAトランジスタ設計（2023.10.01　ニューススイッチ）
湘南工大、複数入力可能な積層型GAAトランジスタ設計　NAND・NOR回路向け（2023.09.28　日刊工業新聞）