2024年3月19日、本学の渡辺重佳特任教授・学事顧問が研究を進める、複数入力可能な積層型GAA（Gate All Around）トランジスタを用いた論理回路の新構造案が、日経エレクトロニクス（2024年3月20日発行）の解説記事に掲載されました。
同記事では、半導体製造を先導する企業がそろって研究を進めるトランジスタ構造「CFET」について、渡辺特任教授が回路設計上の課題を指摘し、既存技術を応用した複数入力可能な積層型GAAトランジスタの新構造を提案しています。
渡辺特任教授の研究は、微細なトランジスタを構成するのに適したGAAトランジスタを縦方向に積層することにより、基本的な論理回路であるNAND回路やNOR回路を実現するものです。これまでの方式と比較して、高速性能を保持しつつ、パターン面積を縮小することができる可能性があり、またこの提案を採用すれば、2ナノメートル世代の実現時期を早めることができるとして多方面から注目されています。
また、2024年3月19日付の日経クロステックにおいても、同記事が掲載されました。
日経クロステック ｜ 「ラピダスが他社に追い付く奇策あり」、元東芝研究者が新構造を提唱 ※全文閲覧には有料会員登録が必要
掲載記事
・「ラピダスが他社に追い付く奇策あり」、元東芝研究者が新構造を提唱（2024.02.02 日経クロステック ニュース解説)
・【2024年注目の先端技術特集】湘南工科大渡辺名誉教授 複数入力可能な積層型GAAトランジスタによるNAND、NOR回路の提案 高速性能を維持しつつパターン面積40％に縮小（2024.01.11 電波新聞デジタル版）
・積層型GAAトランジスタ で複数入力が可能に 2～3世代先の集積効果実現へ 湘南工科大・渡辺名誉教授の研究（2024.01.09 電波新聞）
・先端半導体の選択肢に、湘南工大が複数入力可能な積層型GAAトランジスタ設計（2023.10.01 ニューススイッチ）
・湘南工大、複数入力可能な積層型GAAトランジスタ設計 NAND・NOR回路向け（2023.09.28 日刊工業新聞）
同記事では、半導体製造を先導する企業がそろって研究を進めるトランジスタ構造「CFET」について、渡辺特任教授が回路設計上の課題を指摘し、既存技術を応用した複数入力可能な積層型GAAトランジスタの新構造を提案しています。
渡辺特任教授の研究は、微細なトランジスタを構成するのに適したGAAトランジスタを縦方向に積層することにより、基本的な論理回路であるNAND回路やNOR回路を実現するものです。これまでの方式と比較して、高速性能を保持しつつ、パターン面積を縮小することができる可能性があり、またこの提案を採用すれば、2ナノメートル世代の実現時期を早めることができるとして多方面から注目されています。
また、2024年3月19日付の日経クロステックにおいても、同記事が掲載されました。
日経クロステック ｜ 「ラピダスが他社に追い付く奇策あり」、元東芝研究者が新構造を提唱 ※全文閲覧には有料会員登録が必要
掲載記事
・「ラピダスが他社に追い付く奇策あり」、元東芝研究者が新構造を提唱（2024.02.02 日経クロステック ニュース解説)
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・先端半導体の選択肢に、湘南工大が複数入力可能な積層型GAAトランジスタ設計（2023.10.01 ニューススイッチ）
・湘南工大、複数入力可能な積層型GAAトランジスタ設計 NAND・NOR回路向け（2023.09.28 日刊工業新聞）
